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J-GLOBAL ID：201702259244327160   整理番号：17A1492328

電気化学擬キャパシタ応用のための電極材料としての導電性Co_3O_4/グラフェン(コア/シェル)量子ドット【Powered by NICT】

Conductive Co₃O₄/graphene (core/shell) quantum dots as electrode materials for electrochemical pseudocapacitor applications

著者 (13件)： Shim Jaeho (Institute of Advanced Composite Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Jeonbuk 565-905, Republic of Korea) ,  Shim Jaeho (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon 34141, Republic of Korea) ,  Ko Yohan (Institute of Advanced Composite Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Jeonbuk 565-905, Republic of Korea) ,  Ko Yohan (Division of Advanced Materials Engineering, Chonbuk National University, Jeonju, 561-756 Republic of Korea) ,  Lee Kyu Seung (Institute of Advanced Composite Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Jeonbuk 565-905, Republic of Korea) ,  Partha Khanra (Institute of Advanced Composite Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Jeonbuk 565-905, Republic of Korea) ,  Lee Chil-Hyoung (Institute of Advanced Composite Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Jeonbuk 565-905, Republic of Korea) ,  Yu Kyoungsik (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon 34141, Republic of Korea) ,  Koo Hye Young (Institute of Advanced Composite Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Jeonbuk 565-905, Republic of Korea) ,  Lee Ki-Tae (Division of Advanced Materials Engineering, Chonbuk National University, Jeonju, 561-756 Republic of Korea) ,  Seo Won-Seon (Energy and Environmental Division, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology (KICET), Jinju, 52851, Republic of Korea) ,  Son Dong Ick (Institute of Advanced Composite Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Jeonbuk 565-905, Republic of Korea) ,  Son Dong Ick (Department of Nanomaterials and Nano Science, Korea University of Science and Technology (UST), Daejeon 305-350, Republic of Korea)
資料名： Composites. Part B. Engineering  (Composites. Part B. Engineering)
巻： 130  ページ： 230-235  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0437B  ISSN： 1359-8368  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コア(活物質)/シェル(導電材料)型Co_3O_4/グラフェン量子ドット(QD)のin situ化学合成とその性質について報告した。Co_3O_4コア間の安定な酸素架橋結合とグラフェンシェル上の酸素官能基は,効率的な充電/放電性能を容易にする。Co_3O_4コアとグラフェンシェル間の効率的な電子移動過程は電気化学的活性の改善をもたらした。,導電性添加物を含まない,Co_3O_4/グラフェン量子ドット電極の比静電容量は1Ag~( 1)の電流密度で2435Fg~( 1)の高い値を示した。それは500サイクル後に初期容量の126%を突破と4500サイクル後でも112%以上を示した。Co_3O_4/G QD電極の優れた性能は,電気化学的活性の有意な改善に起因し,伝導性添加物無しに,良好な電気的性質をもたらすグラフェンシェルで被覆された金属酸化物QDの存在に起因していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電極材料 ,  電子移動 ,  *導電性 ,  添加剤 ,  *電気化学 ,  金属酸化物 ,  充電 ,  *グラフェン ,  化学合成 ,  *コンデンサ ,  *量子ドット ,  酸素
準シソーラス用語： 比静電容量 ,  活物質 ,  グラフェン量子ドット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ハイブリッド ,  ナノ構造 ,  化学分析 ,  電子顕微鏡観察

分類 (2件)： 強化プラスチックの成形  (YH04060J) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電気化学 ,  キャパシタ ,  応用 ,  電極材料 ,  導電性 ,  グラフェン ,  コア ,  シェル ,  量子ドット