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J-GLOBAL ID：201702259248485812   整理番号：17A1020101

IR検出器のためのMg_2Siの結晶成長【Powered by NICT】

Crystal growth of Mg₂Si for IR-detector

著者 (4件)： Tokairin Toshio (Graduate School of Science and Engineering, Ibaraki University, Hitachi, Ibaraki, Japan) ,  Ikeda Junya (Shinko Manufacturing Co., Ltd., Miyakojima, Osaka, Japan) ,  Udono Haruhiko (Graduate School of Science and Engineering, Ibaraki University, Hitachi, Ibaraki, Japan) ,  Udono Haruhiko (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ibaraki University, Hitachi, Ibaraki, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 761-765  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導性Mg_2Siは熱電材料として知られており,最近赤外(IR)センサのためのSi系の,低コストで環境に優しい材料として注目されている。IRセンサのためのコスト効率の良いMg_2Si単結晶基板を製造することを目的として,著者らは開放系における垂直Bridgman(VB)とマイクロ引下げ(μ PD)法を用いてMg_2Siの単結晶成長を研究した。Mgの蒸発をμ-PD中抑制されなかったので,この方法で成長させたMg_2Si単結晶の組成は化学量論的ではなかった。一方,単結晶Mg_2SiはSi処理内部炭素シートとBNでコーティングした炭素るつぼを用いたVB法で作製した。直径30mmのMg_2Si結晶は成長速度0.5mm/minおよび5°C/cmの温度勾配で成長させた。得られた結晶の電子密度と移動度は300Kで1.8×10~17cm~ 3と283cm~2V~ 1s~ 1であった。高電子密度はるつぼで提示した不純物からの汚染によるものであった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱電材料 ,  炭素 ,  成長速度 ,  不純物 ,  坩堝 ,  *結晶成長 ,  温度勾配 ,  *マグネシウム ,  センサ ,  単結晶 ,  半導性 ,  電子密度 ,  化学量論 ,  *ケイ素 ,  *結晶

著者キーワード (5件)： A2単結晶成長 ,  A2Bridgman法 ,  A2ミクロ引き下げ法 ,  B1Mg_2Si ,  B3赤外センサ

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ir ,  検出器 ,  結晶成長