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J-GLOBAL ID：201702259282998525   整理番号：17A1639084

厚いと薄いAlGaN/GaNH EMT構造上のOhm接触の最適化【Powered by NICT】

Optimization of ohmic contacts on thick and thin AlGaN/GaN HEMTs structures

著者 (4件)： Dhakad Sandeep (Smart Sensor Area, CSIR- Central Electronics Engineering Research Institute, Pilani, 333031, India) ,  Sharma Niketa (Department of Electronics and Communication Engineering, Malaviya National Institute of Technology, Jaipur, 302017, India) ,  Periasamy C. (Department of Electronics and Communication Engineering, Malaviya National Institute of Technology, Jaipur, 302017, India) ,  Chaturvedi Nidhi (Smart Sensor Area, CSIR- Central Electronics Engineering Research Institute, Pilani, 333031, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 922-926  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,薄い(18 nm)および厚い(25 nm)AlGaN/GaNH EMT構造のOhm接触の比較と最適化を検討した。Ti/Al/Ti/Auの従来のメタライゼーション方式では,中間Tiを置換するNi,Cr及びPt金属に基づくいくつかのスタックを試験し,比較した。比接触抵抗(ρ_c)はスタック比に強く依存した。厚いAlGaNベースH EMTに試験した1:5:2:3の特定,スタック比に対して,Crスタックは5×10~ 5Ω-cm~2の最小ρ_c値を示したが,ρ_c値はPtの2倍およびNiの4倍に増加した。しかし形態比較は,Niが最良の選択であることを示した。Ni基スタックは,低接触抵抗のための最適化した。最適化プロセスでは,メタライゼーション前表面処理はスタック比と共に変化した。1:5:2:2.5のスタック比は最低の比接触抵抗値は6×10~ 6Ω-cm~2であった。比の変化と異なるNi基積層を堆積し,比較して厚いおよび薄いAlGaN/GaNH EMT構造であった。ρ_cの同じ値はスタック中のNi比率が低い限り厚いおよび薄い両方の構造で記録された。Ni比率の増加に伴い,ρ_cは薄いAlGaN/GaNH EMTのための劇的に増加することが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ニッケル ,  メタライゼーション ,  チタン ,  *最適化 ,  白金 ,  接触抵抗 ,  クロム ,  *Ohm接触 ,  表面処理 ,  HEMT
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  比接触抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Ohm接触 ,  比接触抵抗 ,  表面形態 ,  高電子移動度トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  EMT ,  Ohm接触 ,  最適化