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J-GLOBAL ID：201702259546357262   整理番号：17A1815857

フォトダイオード上の直接レジスト被覆によるEUVレジスト用の透過率測定法の開発

Development of the Transmittance Measurement for EUV Resist by Direct-Resist Coating on a Photodiode

著者 (4件)： MAMEZAKI Daiki (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  WATANABE Masanori (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  HARADA Tetsuo (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  WATANABE Takeo (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名： LASTI Annual Report  (LASTI Annual Report)
巻： 18  ページ： 53-57  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： L4711A  ISSN： 2189-6909  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極端紫外線(EUV)レジストの感度を高めるために,レジストのベース樹脂中にHfやZr金属などの高吸収率材料を添加する方法を開発した。ベース樹脂のEUV吸収が増すので,二次電子放出が増加してレジスト露光感度が向上する。従って,高感度のEUVレジストを得るためには,EUVレジストのEUV吸収を精密に評価する必要がある。NewSUBARUシンクロトロン放射施設のビームラインBL10でEUVレジスト吸収率を精密に評価する新しい透過率測定法を開発した。この新しい方法では,EUVフォトダイオード上に試料レジストを直接被覆した。レジストのEUV透過率を被覆前後のフォトダイオード信号により測定した。フォトダイオード上のレジスト被覆厚の均一性は自立膜上の被覆層よりも遥かに小さかった。新しい方法により,レジスト厚とEUV透過率の測定精度が有意に向上した。その結果,1%の高い測定精度で吸収係数を測定できた。この新しい方法は吸収率の高い材料を用いた高感度EUVレジストの開発に役立つ。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  極端紫外線 ,  フォトダイオード ,  被覆 ,  *透過率 ,  *高感度 ,  シンクロトロン放射 ,  ハフニウム ,  ジルコニウム
準シソーラス用語： *EUVレジスト ,  *光透過率

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (12件)：

• H. Kinoshita, K. Kurihara, Y. Ishii and Y. Torii: J. Vac. Sci. & Technol., B7 (1989) 1648.
• Mark Neisser and Stefan Wurm: Advanced Optical Technologies, 4, (2015) 535.
• Jing Jiang, Souvik Chakrabarty, Mufei Yu and Christopher K. Ober: Journal of Science and Technology 27(2014) 663.
• Jason K. Stowers, Alan Telecky, Michael Kocsis, Benjamin L. Clark, Douglas A. Keszler and Andrew Grenville: Proc. SPIE 7969 (2011) 15.
• Atsushi Sekiguchi, Yoko Matsumoto, Tetsuo Harada, Takeo Watanabe, and Hiroo Kinoshita: Proc. of SPIE Vol. 9422 (2015) 2L.

タイトルに関連する用語 (6件)： フォトダイオード ,  レジスト ,  EUVレジスト ,  透過率 ,  測定法 ,  開発