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J-GLOBAL ID：201702259561742558   整理番号：17A1142116

シリコン基板上への(0001)AlN/GaN超格子構造作成における応力,反り,貫通転位密度制御の数値解析による検討

著者 (1件)： 向山裕次 (STR Japan)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.8p-PB1-11  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *人工超格子 ,  *膜応力 ,  反り ,  *貫通転位 ,  *転位密度 ,  圧縮応力 ,  不整合転位 ,  引張応力 ,  微小亀裂 ,  応力緩和 ,  膜厚 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  プログラムパッケージ ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  窒化アルミニウムガリウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン基板 ,  AlN ,  GaN ,  超格子構造 ,  応力 ,  反り ,  貫通転位密度 ,  数値解析