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J-GLOBAL ID：201702259646839623   整理番号：17A1617082

パターン形成方法

資料名： 公知技術
号： 283  ページ： 1-62  発行年： 2017年11月01日 
JST資料番号： L3022A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,半導体製造分野に適したパターン形成方法について報告する。特に,酸の作用により極性が変化する樹脂を含有するフォトレジスト組成物と,現像液,洗浄液,リンス液などの処理液に関する。また,処理液の製造方法についても報告する。本稿にて報告するパターン形成方法は,ArF,KrF,EUV,及び,電子線等の種々の露光に対応したフォトレジスト膜等の半導体製造用材料に広く適用可能である。(著者抄録)

シソーラス用語： 洗浄 ,  アルゴン化合物 ,  フッ化クリプトン ,  極端紫外線 ,  現像液 ,  洗浄剤 ,  電子照射 ,  *パターン形成 ,  CMOS ,  *フォトレジスト ,  製造 ,  電荷結合素子 ,  フォトリソグラフィー ,  超小形回路技術 ,  電子線レジスト ,  有機溶媒 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： リンス ,  フッ化アルゴン ,  半導体製造 ,  極端紫外レジスト

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (1件)： パターン形成