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J-GLOBAL ID：201702259671159212   整理番号：17A1478175

Hg₃In₂Te₆結晶の不純物準位

Impurity Levels in Hg₃In₂Te₆ Crystals

著者 (3件)： CHUPYRA S. M. (Chernivtsy National Univ., Chernivtsy, UKR) ,  GRUSHKA O. G. (Chernivtsy National Univ., Chernivtsy, UKR) ,  BILICHUK S. V. (Chernivtsy National Univ., Chernivtsy, UKR)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 8  ページ： 1041-1043  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Hg₃In₂Te₆の著しい特徴は,高い放射安定性と1.3μmから1.6μmの赤外領域で最大の光感度を有することである。本論文では,有効ドナー濃度の異なる三つのHg₃In₂Te₆試料の不純物準位のパラメータ,例えば,有効ドナー濃度と補償度N_A/N_D,および電子濃度とFermi準位の温度依存性の測定結果を報告する。またバンドギャップについて解析を行った。

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  結晶 ,  *不純物準位 ,  放射 ,  安定性 ,  感度 ,  キャリア密度 ,  濃度 ,  Fermi準位 ,  温度依存性 ,  バンドギャップ ,  *水銀化合物 ,  *テルル化物 ,  化合物半導体 ,  赤外線
準シソーラス用語： 光感度 ,  電子濃度

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (2件)： 結晶 ,  不純物準位