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J-GLOBAL ID:201702259676524979   整理番号:17A1622444

Cu_2(Sn,Ge)S_3薄膜太陽電池のためのゲルマニウム含有前駆体の電着【Powered by NICT】

Electrodeposition of germanium-containing precursors for Cu2(Sn,Ge)S3 thin film solar cells
著者 (8件):
資料名:
巻: 251  ページ: 651-659  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0535B  ISSN: 0013-4686  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Cu_2(Sn,Ge)S_3は最近,単一接合薄膜太陽電池の吸収層として出現し,6.7%までの電力変換効率を実現してきた。金属前駆体とそれに続くアニーリングの電着は,そのような太陽電池吸収体層のための魅力的な合成法であり,真空条件を必要とせず,少ないエネルギーが消費されるからである。現在の知識に基づく金属ゲルマニウムの水溶液からの電着は,非常に薄い層,厚い半導体層に必要な材料の化学量論的量を提供しないに限定されている。Cu_2(Sn,Ge)S_3のゲルマニウム含有前駆体の成長のための電着法を導入し,プロピレングリコールベース電解質を用いた。これらの浴は,添加物を必要とし,他のめっき浴よりも高いゲルマニウム電着の速度を与えない,安価である。プロピレングリコール中の銅,すず及びゲルマニウムの電気化学的挙動を研究し,対応する堆積物を特性化した。純粋な要素の各々の滑らかで緻密な層を蒸着した。,銅とゲルマニウムの共電着も研究し,合金Cu_3Geと金属銅を含む薄膜が得られた。約3の一定の[Cu]/[Ge]比が広い電位範囲で観測したが,純ゲルマニウムの値より高いめっき効率であった。これらの理由から,銅,ゲルマニウムは関連共析出法により,前駆体に導入した。元素硫黄の存在下での熱アニーリング後,半導体Cu_2(Sn,Ge)S_3を成功裏に形成し,それは0.7%の効率で加工太陽電池構造中に導入した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (4件):
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電気化学反応  ,  電極過程  ,  二次電池  ,  太陽電池 

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