文献

J-GLOBAL ID：201702259701800817   整理番号：17A1359900

超低電力IoT解のための半導体プラットフォーム【Powered by NICT】

Semiconductor platforms for ultra low power IoT solutions

著者 (2件)： Dry Tim (GLOBALFOUNDRIES, Santa Clara, CA) ,  Letavic Ted (GLOBALFOUNDRIES, Santa Clara, CA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI Technology  ページ： T164-T165  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インテリジェント接続されたセンサとアクチュエータ終点ノードは,モノのインターネット(IoT)を可能にした。終点ノード機能ブロックの概要と低消費電力のための要件を論じた。IoTのためのVLSI技術に力を与えるものは超低電力(ULP)と超低漏れ(ULL)半導体プロセスプラットフォーム拡張を含んでいる。バルクシリコン技術のためのULPとULL実装を提示し,完全空乏化シリコンオンインシュレータ(FDSOI)技術と比較した。FDSOIは逆バイアス(BB)を利用して性能を向上させ,最低の動的および静的電力を達成するために,費用対効果の高い低電力IoT応用を可能にした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *半導体 ,  半導体プロセス ,  *電力 ,  センサ ,  アクチュエータ ,  超LSI
準シソーラス用語： 費用対効果 ,  逆バイアス ,  FDSOI ,  バルクシリコン ,  低電力化 ,  エンドポイント ,  *モノのインターネット ,  *超低消費電力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  計算機網  (JC03000K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低電力 ,  IoT ,  解 ,  プラットフォーム