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J-GLOBAL ID：201702259718152951   整理番号：17A1249454

サイズ分布の正確な解析とラマンおよびPLスペクトルによるほう素をドープしたSiナノ結晶の結晶度【Powered by NICT】

Accurate analysis of the size distribution and crystallinity of boron doped Si nanocrystals via Raman and PL spectra

著者 (9件)： Jia X. (School of Materials Science & Engineering, Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovoltaic Science & Engineering, Jiangsu Province Cultivation Base for State Key Laboratory of Photovoltaic Science and Technology, Changzhou University, Changzhou ...) ,  Lin Z. ,  Zhang T. ,  Puthen-Veettil B. ,  Yang T. ,  Nomoto K. ,  Ding J. ,  Conibeer G. ,  Perez-Wurfl I.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 54  ページ： 34244-34250  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子ドット(QD)の狭いサイズ分布は,光起電力への応用のために必要であるが,そのような情報の収集は困難である。スパッタ-アニール法により作製したSi QD試料の粒度分布と結晶分率を抽出するための特性化ツールとしてのRaman分光法の適用を示した。Si QD材料の測定されたRamanスペクトルはそれらの起源に従って四つの成分に逆畳み込みとSiQDコアによるRaman散乱を改良一フォノン閉じ込めモデルによって記述されるが,他の成分はGauss関数で再現される。Ramanスペクトルの当てはめを通して,Si QDサイズ分布とSi結晶画分が得られた。その結果,一連のBドープSi QD試料のPLモデリングから得られた値と比較した。これら二つの方法で得られた値間の良い一致がRamanモデルの妥当性を確認した。結果はSi結晶化は平均Si QDサイズとしてのBドーピングにより抑制され,Si結晶分率は増加したBドーピングレベルと共に減少することを確認した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ドーピング ,  デコンボリューション ,  *ケイ素 ,  Raman散乱 ,  焼なまし ,  Raman分光法 ,  *結晶度 ,  フォノン ,  粒度分布 ,  *ホウ素 ,  Ramanスペクトル ,  量子ドット
準シソーラス用語： Gauss関数 ,  *光ルミネセンススペクトル ,  *サイズ分布 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (8件)： サイズ分布 ,  解析 ,  PLスペクトル ,  ほう素 ,  ドープ ,  Si ,  ナノ結晶 ,  結晶度