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J-GLOBAL ID:201702259761471776   整理番号:17A1721723

FTO/TiO2/ZnG光アノードに用いられるGaドープZnO層による天然色素増感太陽電池の性能増強【Powered by NICT】

Performances Enhancement of Natural DSSC by Ga-Doped ZnO Layer Used in the FTO/TiO2/ZnG Photoanode
著者 (4件):
資料名:
巻:号:ページ: 1667-1673  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2305A  ISSN: 2156-3381  CODEN: IJPEG8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ガリウム(ZnG)をドープした酸化亜鉛膜は色素増感太陽電池(DSSC)の光アノードとして使用した。DSSCの電気的パラメータを向上させ,再結合速度を減少させるために,二酸化チタン(TiO_2)薄膜層はZnG光アノードと基板の間に挿入した。ポリエチレンナフタレート(ITO/PEN)およびフッ素ドープ酸化スズ(FTO)基板上に被覆した酸化インジウムスズ上に堆積した膜の光学的,構造的,および形態学的特性を研究した。実現した膜は優先方位(002)の多結晶ウルツ鉱型六方晶構造を有していた。ZnO溶液にガリウム(Ga)の添加により,結晶度の改善がFTO/膜とITO PEN/filmsの7~16.76nmの粒径を16.68から22nmまで増えるにより観察された。実現されたDSSCは,ITO/PENに基づくもののためのFTOをベースにしたDSSCは0.13%から0.15%~0.44%の効率の増加を示す0.57%であった。天然ゼニアオイによる光アノードの染色は665~680nmの範囲の吸収領域の出現により光吸収を改善した。GaとZnOのドーピングはITO/PEN上に作られたもののためのFTOに基づく色素増感太陽電池のための0.55~0.58Vから0.57~0.59Vから実現されたDSSCの開回路電圧を改善した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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太陽電池 

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