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J-GLOBAL ID：201702259807701859   整理番号：17A0312161

1.01Vまでの高開回路電圧を有するイソインジゴベース高分子太陽電池【Powered by NICT】

Isoindigo-based polymer solar cells with high open circuit voltages up to 1.01 V

著者 (5件)： Park Gi Eun (Department of Chemistry, Research Institute for Natural Sciences, Korea University, 5 Anam-dong, Sungbuk-Gu, 136-701, Seoul, South Korea) ,  Choi Suna (Department of Chemistry, Research Institute for Natural Sciences, Korea University, 5 Anam-dong, Sungbuk-Gu, 136-701, Seoul, South Korea) ,  Shin Jicheol (Department of Chemistry, Research Institute for Natural Sciences, Korea University, 5 Anam-dong, Sungbuk-Gu, 136-701, Seoul, South Korea) ,  Cho Min Ju (Department of Chemistry, Research Institute for Natural Sciences, Korea University, 5 Anam-dong, Sungbuk-Gu, 136-701, Seoul, South Korea) ,  Choi Dong Hoon (Department of Chemistry, Research Institute for Natural Sciences, Korea University, 5 Anam-dong, Sungbuk-Gu, 136-701, Seoul, South Korea)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 34  ページ： 157-163  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非フッ素化(PIIDBT)とふっ素化ビチオフェン部分(PIIDFBT)を含むイソインジゴベース共重合体を合成した。電気陰性のフッ素原子との水素原子の置換は立体配座ロックの概念を用いた共役高分子構造における分子内非共有結合相互作用を達成した。さらに,置換原子としてのふっ素特性は電子吸引能力を調整および非ふっ素化重合体( 5.54 eV)のそれよりもより深い( 5.79 eV)フッ素化部分のHOMOエネルギー準位を行った。その結果,PIIDFBTの光起電力性能は,1.01Vまでの開回路電圧(Voc)を増加させ,6.21%の電力変換効率をもたらすにより改善された。高V_VocとPIIDFBTは単一接合と多重接合光起電力電池の両方のための有望な候補として認識することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： HOMO ,  光電池 ,  フッ素化 ,  立体配座 ,  置換型原子 ,  電気陰性度 ,  光起電力 ,  *フッ素 ,  多重接合 ,  非共有結合 ,  共役重合体 ,  水素原子 ,  *高分子太陽電池
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  *開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 高分子太陽電池 ,  イソインジゴ ,  開路電圧 ,  ふっ素化部分

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 開回路電圧 ,  高分子太陽電池