文献
J-GLOBAL ID:201702259878287184   整理番号:17A0697392

変調光熱赤外放射測定を用いた中程度と高濃度にドープした半導体試料の熱拡散率の測定【Powered by NICT】

On measurement of the thermal diffusivity of moderate and heavily doped semiconductor samples using modulated photothermal infrared radiometry
著者 (6件):
資料名:
巻: 650  ページ: 33-38  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0350C  ISSN: 0040-6031  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本研究では,変調光熱赤外放射測定を用いた中程度および多量にドープした半導体試料の熱拡散率推定の精度を検討した。研究は多量にドープしたSiとGaAsウエハ上に,適度にドープしたSiで行い,最近GaAsとCdSe試料を研究した。半導体試料の赤外特性に依存して,変調光熱赤外放射測定信号は熱拡散率,(有効)赤外吸収係数と電子輸送パラメータ(再結合寿命,キャリア拡散率及び表面再結合速度)に関する情報を生成できることを示した。多量にドープした試料では,変調光熱赤外放射測定信号は,熱応答(有効)赤外吸収係数と熱拡散率についての情報をもたらすだけで構成されている。この場合の熱拡散率を推定する信頼U_rの0.95準位と相対的拡張不確かさは約U_r=0.05であった。中程度にドープした試料では変調光熱赤外放射測定信号は熱及び光キャリア応答から構成されている。この場合の熱拡散率を推定する信頼U_rの0.95準位と相対的拡張不確かさは約U_r=0.10の間,約U_r=0.30変化し,信号位相の最大値の存在に依存するが,電子輸送特性に関する情報を導出した。だけでなく赤外特性を中程度ドープした半導体試料の熱拡散率を推定する精度に影響を及ぼすことが示されているが,も熱的,幾何学的(厚さ)とキャリア再結合特性が重要な役割を果たすことができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
熱量測定,熱量計  ,  その他の無触媒反応 

前のページに戻る