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J-GLOBAL ID：201702259878580768   整理番号：17A0704084

低コスト薄膜太陽電池のためのN_2雰囲気中でアニールした高品質カドミウムすず酸塩【Powered by NICT】

High-quality cadmium stannate annealed in N₂ atmosphere for low-cost thin film solar cell

著者 (4件)： Du Zhongming (The Key Laboratory of Solar Thermal and Photovoltaic System, Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China. [e-mail]) ,  Liu Xiangxin ,  Zhang Yufen ,  Zhu Ziyao
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 30  ページ： 18545-18552  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無線周波数マグネトロンスパッタリングによるすず酸カドミウム(Cd_2SnO_4)またはカドミウムすず酸化物(CTO)膜を窒素(N_2)雰囲気中でアニールした。アルゴン/酸素(Ar/O_2)ガススパッタしたCTO薄膜の電気抵抗率は高温アニーリング後に劇的に減少し,1.73×10~ 4Ωcmの最低の抵抗率を達成した。Ar/O_2ガス中で蒸着したCTO薄膜のCd_2SnO_4結晶相は600°Cでのアニーリング後に生じた635°Cまでと,光学バンドギャップはアニーリング後に明らかに増加した。堆積雰囲気は,純粋なArと,堆積したままのCTO抵抗率は10~ 4Ωcmの順であった。Arガス中で蒸着した薄膜の抵抗率はアニーリング後にわずかに低下した。しかし,Arガス下で堆積した厚膜の抵抗率はアニーリング後に劇的に増加した。アニーリング後に発生したArガススパッタしたCTOのCd_2SnO_4結晶相。CTO薄膜の可視領域と近赤外スペクトル透過率はN_2雰囲気中でのアニーリング後に増加した。Ar/O_2Inと620°CでN_2ガス中でのアニーリング後に析出したCTO薄膜の抵抗率は塩素処理後にわずかに増加した。Ar/O_2年に堆積し,その後620°CでN_2ガス中でアニールした膜の抵抗率は,600°Cで5分間真空アニーリング後にわずかに減少した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *スズ酸塩 ,  光学ギャップ ,  酸化スズ ,  透過率 ,  アルゴン ,  厚膜 ,  電気抵抗率 ,  *薄膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  高温 ,  *カドミウム ,  近赤外スペクトル
準シソーラス用語： 結晶相 ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜太陽電池 ,  雰囲気 ,  アニール ,  高品質 ,  カドミウム ,  すず酸塩