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J-GLOBAL ID：201702259999286170   整理番号：17A1382869

単一MeV C_60イオン衝撃により誘起された局所加熱【Powered by NICT】

Local heating induced by single MeV C₆₀ ion impacts

著者 (8件)： Hayashi H. (Department of Micro Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8540, Japan) ,  Matsuzaki S. (Department of Micro Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8540, Japan) ,  Nakajima K. (Department of Micro Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8540, Japan) ,  Narumi K. (Takasaki Advanced Radiation Research Institute, QST, Takasaki, Gumma 370-1292, Japan) ,  Saitoh Y. (Takasaki Advanced Radiation Research Institute, QST, Takasaki, Gumma 370-1292, Japan) ,  Tsujimoto M. (Institute for Integrated Cell-Material Sciences, Kyoto University, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Toulemonde M. (CIMAP-GANIL (CEA-CNRS-ENSICAEN-Universite de Caen Basse Normandie), Bd. H. Becquerel, 14070 Caen, France) ,  Kimura K. (Department of Micro Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8540, Japan)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 406  号： PB  ページ： 591-595  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 数nmサイズの金と白金ナノ粒子は非晶質酸化けい素および非晶質窒化けい素膜上に堆積した。これらの膜は0.72と1.1MeV C_60~3+イオンを照射した。単一イオン衝撃により誘起されたこれらの膜の局所加熱はイオン衝撃による標的表面からのナノ粒子の脱着を観察することによって評価した。出口表面での局所加熱は膜厚に非常に敏感であることが分かった。薄い膜では,出口表面で観測された局所加熱は入口表面と比較して増強され,一方,結果はより厚い膜では逆であった。観察された結果は,膜を横切る通過時の構成炭素イオンの空間分布の広がりを考慮した統一熱スパイクモデルでよく説明できた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金 ,  窒化ケイ素 ,  空間分布 ,  ナノ粒子 ,  *イオン衝突 ,  熱スパイク ,  非晶質 ,  膜厚 ,  酸化ケイ素
準シソーラス用語： 炭素イオン ,  白金ナノ粒子 ,  *局部加熱 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 熱スパイク ,  C_60 ,  温度測定 ,  非晶質窒化けい素 ,  非晶質酸化けい素

分類 (1件)： イオンとの相互作用  (BK16070Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン衝撃 ,  誘起 ,  局所加熱