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J-GLOBAL ID：201702260004026865   整理番号：17A0551326

Ge(111)-c(2×8)表面上のPTCDAの成長: 走査型トンネル顕微鏡法研究

PTCDA growth on Ge(111)-c(2×8) surfaces: a scanning tunneling microscopy study

著者 (7件)： MARTINEZ-GALERA A J (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  WEI Z (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  WEI Z (Chongqing Univ., Chongqing, CHN) ,  NICOARA N (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  NICOARA N (International Iberian Nanotechnology Lab., Braga, PRT) ,  BRIHUEGA I (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  GOMEZ-RODRIGUEZ J M (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 9  ページ： 095703,1-8  発行年： 2017年03月03日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属または半導体上の有機分子のエピタクシー成長は界面研究の基礎物理学からオプトエレクトロニクス素子の応用にいたる興味がある。この研究では,PTCDA(3,4,9,1ペリレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド)が超薄秩序化膜を形成するためにモデル物質として便利である。本稿では,室温(RT)におけるGe(111)-c(2×8)表面上のPTCDA成長の初期段階を超高真空状態下で走査型トンネル顕微鏡法(STM)により調べた。その結果,PTCDA分子が半導体基板の良く秩序化された領域上をRTにおいて高移動度をもち,核形成が領域壁,ステップ小表面欠陥でのみ観察されることを示した。しかし,非分子秩序がサブ単原子層被覆で検出された。高被覆の場合に,三次元(3D)分子島の形成が観察された。これらの3D島は分子分解能STM画像により結晶性をもつことを示した。これらのSTM測定に基づいて,PTCDA分子がPTCDAバルク結晶で観察されたものと類似したヘリンボーン構造に秩序化されたことを実証した。さらに,3D微結晶が無秩序化分子層のトップで成長し,それが不動態化層として作用することを示した。

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *有機化合物 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  *ゲルマニウム ,  界面 ,  超薄膜 ,  規則化 ,  モデル化合物 ,  超高真空 ,  基板 ,  移動度 ,  核形成 ,  領域壁 ,  表面欠陥 ,  単原子層 ,  被覆 ,  高分解能 ,  微結晶 ,  不動態化 ,  結晶方位

分類 (2件)： 有機化合物の結晶成長  (BK13070E) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

物質索引 (1件)： PTCDA

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  PTCDA ,  成長 ,  走査型トンネル顕微鏡法 ,  研究