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J-GLOBAL ID：201702260012218357   整理番号：17A0444685

ドーパントが含まれていないシリコン太陽電池における多層MoO_x/Ag/MoO_xエミッタ【Powered by NICT】

Multilayer MoO_x/Ag/MoO_x emitters in dopant-free silicon solar cells

著者 (13件)： Wu Weiliang (Institute for Solar Energy Systems, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, 5th Floor, C Block, Building of Engeneering, 132 Wai Huan Dong Road, Higher Education Mega Center, Guangzhou, Guangdong Province, PR China) ,  Bao Jie (Institute for Solar Energy Systems, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, 5th Floor, C Block, Building of Engeneering, 132 Wai Huan Dong Road, Higher Education Mega Center, Guangzhou, Guangdong Province, PR China) ,  Bao Jie (Shunde-SYSU Institute for Solar Energy, Beijiao town, Shunde, Guangdong Province 528300, China) ,  Liu Zongtao (Shunde-SYSU Institute for Solar Energy, Beijiao town, Shunde, Guangdong Province 528300, China) ,  Lin Wenjie (Institute for Solar Energy Systems, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, 5th Floor, C Block, Building of Engeneering, 132 Wai Huan Dong Road, Higher Education Mega Center, Guangzhou, Guangdong Province, PR China) ,  Yu Xiao (Institute for Solar Energy Systems, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, 5th Floor, C Block, Building of Engeneering, 132 Wai Huan Dong Road, Higher Education Mega Center, Guangzhou, Guangdong Province, PR China) ,  Cai Lun (Institute for Solar Energy Systems, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, 5th Floor, C Block, Building of Engeneering, 132 Wai Huan Dong Road, Higher Education Mega Center, Guangzhou, Guangdong Province, PR China) ,  Liu Binhui (Institute for Solar Energy Systems, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, 5th Floor, C Block, Building of Engeneering, 132 Wai Huan Dong Road, Higher Education Mega Center, Guangzhou, Guangdong Province, PR China) ,  Song Jingwei (Shunde-SYSU Institute for Solar Energy, Beijiao town, Shunde, Guangdong Province 528300, China) ,  Shen Hui (Institute for Solar Energy Systems, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, 5th Floor, C Block, Building of Engeneering, 132 Wai Huan Dong Road, Higher Education Mega Center, Guangzhou, Guangdong Province, PR China) ,  Shen Hui (Shunde-SYSU Institute for Solar Energy, Beijiao town, Shunde, Guangdong Province 528300, China) ,  Shen Hui (Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovoltaic Science and Engineering, Changzhou University, Jiangsu Province, PR China) ,  Shen Hui (Institute for Solar Energy Systems, School of Physics and State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, Guangdong Province, PR China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 189  ページ： 86-88  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MAM/n Si太陽電池におけるエミッタとしての超低シート抵抗とドーパントMoO_x/Ag/MoO_x(MAM)多層膜を適用し,正孔選択接触として最適化された性能のためにフィルムのパラメータを確立した。デバイス性能はMoO_x(55±3nm)/Ag(10±1nm)/MoO_x(6±2nm)/n-Si太陽電池で最適化し,13.01%の電力変換効率を示し,短絡電流密度29.43mA~2の583mVの開放電圧,および75.83%の曲線因子と組合せて検討した。さらに,本研究は,MoO_xと透明導電性酸化物膜を置き換えるためにエミッタとしてMAMを採用した最初の研究である。採用した作製プロセスは単純で,添加物を,低温で行い,従ってMAM/n Si太陽電池の大量生産のための重要な可能性を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： シート抵抗 ,  大量生産 ,  多層膜 ,  *多層 ,  正孔 ,  *太陽電池 ,  低温 ,  最適化 ,  *ドーパント
準シソーラス用語： 透明導電性酸化物 ,  曲線因子 ,  開回路電圧 ,  短絡電流密度 ,  電力変換効率 ,  *シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 太陽エネルギー材料 ,  MoO_x/Ag/MoO4x ,  シリコン太陽電池 ,  ドーパントフリー ,  シミュレーション

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドーパント ,  シリコン太陽電池 ,  多層 ,  Ag ,  エミッタ