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J-GLOBAL ID:201702260016495292   整理番号:17A0780931

CdSe量子ドットにおける量子状態と表面状態間のエネルギー輸送プロセスの温度と波長依存性

Temperature and Wavelength Dependence of Energy Transfer Process Between Quantized States and Surface States in CdSe Quantum Dots
著者 (11件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 12:222 (WEB ONLY)  発行年: 2017年12月 
JST資料番号: U7001A  ISSN: 1931-7573  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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CdSe量子ドットの量子状態と表面トラップ状態間のエネルギー輸送(ET)過程の温度と波長依存性をそれぞれ調べた。実験結果は,量子状態のフォトルミネッセンス(PL)強度は,トラップ状態の発光に関連して減少し,特に低温で減少する。量子状態とトラップ状態間の観測されたET過程は熱密度により影響を受けた。同じ温度で,銀膜では,表面プラズモン効果により量子状態からトラップ状態へのエネルギー輸送(ET)は大幅に増大した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (5件):
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