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J-GLOBAL ID:201702260098000420   整理番号:17A1391783

炭化ケイ素パワーデバイスとその応用のレビュー【Powered by NICT】

Review of Silicon Carbide Power Devices and Their Applications
著者 (4件):
資料名:
巻: 64  号: 10  ページ: 8193-8205  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0234A  ISSN: 0278-0046  CODEN: ITIED6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスは過去二年間に広く研究されてきた,現在市販されている多くのデバイスである。シリコン(Si)上のSiCの材料固有の利点のために,SiCパワーデバイスはより高い電圧,高いスイッチング周波数,及びより高い温度で操作することができる。SiCパワーデバイスとその新しい応用の技術進歩をレビューした。設計課題と今後の動向について,本稿の末尾で総括した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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電力変換器 
タイトルに関連する用語 (3件):
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