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J-GLOBAL ID：201702260098000420   整理番号：17A1391783

炭化ケイ素パワーデバイスとその応用のレビュー【Powered by NICT】

Review of Silicon Carbide Power Devices and Their Applications

著者 (4件)： She Xu (Electrical Power, GE Global Research, Niskayuna, NY, USA) ,  Huang Alex Q. (North Carolina State University, Raleigh, NC, USA) ,  Lucia Oscar (Electronic Engineering and Communications, University of Zaragoza, Zaragoza, Spain) ,  Ozpineci Burak (University of Tennessee, Oak Ridge National Laboratory (ORNL), Knoxville, Knoxville, TN, TN, USAUSA)
資料名： IEEE Transactions on Industrial Electronics  (IEEE Transactions on Industrial Electronics)
巻： 64  号： 10  ページ： 8193-8205  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0234A  ISSN： 0278-0046  CODEN： ITIED6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスは過去二年間に広く研究されてきた,現在市販されている多くのデバイスである。シリコン(Si)上のSiCの材料固有の利点のために,SiCパワーデバイスはより高い電圧,高いスイッチング周波数,及びより高い温度で操作することができる。SiCパワーデバイスとその新しい応用の技術進歩をレビューした。設計課題と今後の動向について,本稿の末尾で総括した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： スイッチング周波数 ,  *パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 炭化ケイ素パワーデバイス ,  応用 ,  レビュー