文献

J-GLOBAL ID：201702260145932664   整理番号：17A1139307

強磁性体/絶縁体/シリコントンネル接合におけるスピン蓄積信号の幾何学的効果

Geometrical effect on the spin accumulation signals in ferromagnet/insulator/Si tunnel junctions

著者 (4件)： SATO S. (Univ. Tokyo) ,  NAKANE R. (Univ. Tokyo) ,  HADA T. (Univ. Tokyo) ,  TANAKA M. (Univ. Tokyo)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.6a-C18-3  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *強磁性体 ,  絶縁体 ,  ケイ素 ,  *トンネル接合 ,  *効果 ,  拡散距離 ,  *三端子回路 ,  *MOS構造 ,  アルミニウム ,  鉄 ,  マグネシウム ,  酸化ケイ素
準シソーラス用語： *磁気トンネル接合 ,  *スピン蓄積 ,  *Hanle効果

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 強磁性体 ,  絶縁体 ,  シリコン ,  トンネル接合 ,  スピン蓄積 ,  幾何学