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J-GLOBAL ID：201702260197763615   整理番号：17A0526568

窒化インジウムおよび窒化インジウム系超薄膜量子構造の光学特性

Optical characterizations of indium nitride and ultra-thin indium nitride based quantum wells

著者 (1件)： 今井大地 (名城大)
資料名： 名城大学理工学部研究報告(CD-ROM)  (Research Reports of the Faculty of Science and Technology, Meijo University (CD-ROM))
号： 57  ページ： 5-12  発行年： 2017年03月31日 
JST資料番号： F0197B  ISSN： 0386-4952  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 筆者はこれまで近紫外から遠赤外の幅広い波長の光を使って半導体材料の物性評価を行ってきた。本報告ではまず,青色LEDを構成する窒化ガリウムの仲間で,窒化物系主要二元化合物の一つである窒化インジウム(InN)の近赤外発光素子応用へ向けた研究について紹介する。半導体光デバイスの発光効率を決定する様々な過程に着目し,近赤外から遠赤外の光を用いた光学評価に基づき解析を行った。次に,InN系デバイス構造の一つであるInN/GaN短周期超格子において,“秩序InGaN混晶”としての物性が発現するために必要な構造を,構造評価と光学評価に基づき検討したので紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  *超薄膜 ,  半導体材料 ,  発光ダイオード ,  近赤外線 ,  遠赤外線 ,  固溶体 ,  ガリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  超格子 ,  周期構造 ,  半導体薄膜 ,  *光学的性質
準シソーラス用語： 量子構造

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化インジウム ,  超薄膜 ,  量子構造 ,  光学特性