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J-GLOBAL ID:201702260231036497   整理番号:17A0406272

c-Si太陽電池の改善された反射防止膜用の窒化けい素(SiN)のアルゴンプラズマ処理【Powered by NICT】

Argon plasma treatment of silicon nitride (SiN) for improved antireflection coating on c-Si solar cells
著者 (5件):
資料名:
巻: 215  ページ: 29-36  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0553A  ISSN: 0921-5107  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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結晶シリコン太陽電池に及ぼすアルゴンプラズマ処理した窒化けい素層とその効果の反射防止特性を示した。水素化窒化ケイ素(a SiN:H)層をシラン(SiH_4),アンモニア(NH_3)と水素(H_2)ガスとそれに続くアルゴンプラズマ処理の混合物を用いたプラズマ増強化学蒸着(PECVD)によりシリコン基板上に堆積した。光学的分析から,窒化けい素層のアルゴンプラズマ処理後の反射率の有意な減少を明らかにした。FESEMは,窒化けい素膜の表面上のナノ構造を示したが,FTIRはSiN,SiOとNH結合の変化を明らかにした。一方,偏光解析法は,二重層の屈折率と形成の変化を示した。最後に,c-Si太陽電池は反射防止膜を用いて作製した。外部量子効率は16.58%のベースライン効率の変換効率の短絡電流密度で2.72%と4.46%の相対的増加を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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太陽電池 

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