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J-GLOBAL ID：201702260255339482   整理番号：17A1483003

よう化銅膜上での銅ナノ構造の容易な気相合成【Powered by NICT】

Facile vapor-phase synthesis of copper nanostructures on cuprous iodide films

著者 (2件)： Seguchi Yasuhiro (Department of Applied Chemistry, Faculty of Science and Engineering, Kindai University, 3-4-1 Kowakae, Higashi-osaka, Osaka 577-8502, Japan) ,  Soejima Tetsuro (Department of Applied Chemistry, Faculty of Science and Engineering, Kindai University, 3-4-1 Kowakae, Higashi-osaka, Osaka 577-8502, Japan)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 144  ページ： 53-62  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cuは高真空中での熱蒸着により高温でよう化第一銅(CuI)膜上に堆積した銅(Cu)の一次元成長を観測した。形態,結晶性,及び化学組成を,走査電子顕微鏡,透過型電子顕微鏡,X線回折,エネルギー分散X線分光法,およびX線光電子分光法を用いて試料を調べた。直線単結晶Cuナノワイヤは200°Cで多結晶CuI膜上に形成することができた。一次元でCuの異方性成長はCuI膜の粒成長と連続性を高めることにより促進された。100°Cのより低い温度では,ファジィ分岐ナノワイヤはCuI膜の表面上に成長させた,Cuの自立,高多孔性膜を作製簡単に可能にした。CuI膜は低温でナノ構造Cuを合成する機能的基質として役立つことを明らかにした。可能な成長プロセスは,合成条件に関してCuの観察されたモルフォロジー進化を説明するために提案した。水濡れ性の特性化は,疎水性はCuI膜上のナノ構造Cuの形成により著しく増大することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶成長 ,  X線回折 ,  X線光電子スペクトル ,  ナノワイヤ ,  化学組成 ,  キャラクタリゼーション ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  一次元 ,  *銅 ,  モルフォロジー ,  透過型電子顕微鏡 ,  真空蒸着 ,  単結晶 ,  結晶度

著者キーワード (4件)： 銅 ,  よう化第一銅 ,  真空蒸発 ,  ナノワイヤ

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： よう化銅 ,  銅 ,  ナノ構造 ,  気相合成