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J-GLOBAL ID：201702260281780704   整理番号：17A0634901

ホモ接合太陽電池の有望な窓層である150nm硫化スズアンチモン薄膜の作製とキャラクタリゼーション

Fabrication and characterization of 150nm tin antimony sulfide thin films, a promising window layer material for homojunction solar cells

著者 (7件)： ALI N. (Universiti Teknologi Malaysia, Johor, MYS) ,  ALI N. (Govt. Post Graduate Jehanzeb Coll. Saidu Sharif, Swat, PAK) ,  HUSSAIN A. (Universiti Teknologi Malaysia, Johor, MYS) ,  AHMED R. (Universiti Teknologi Malaysia, Johor, MYS) ,  WAN SHAMSURI W.N. (Universiti Teknologi Malaysia, Johor, MYS) ,  ABDEL-SALAM Naser M. (King Saud Univ., Riyadh, SAU) ,  KHENATA R. (Univ. Mascara, Mascara, DZA)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 4  ページ： 282,1-6  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,150nmサイズ硫化スズアンチモン(TAS)薄膜を熱蒸着技術によって作製し,太陽電池システムの窓層に好適であることを実証した。300°Cでアニールした試料の結晶粒サイズは16nmで,バンドギャップ値は2.85eVであった。また,太陽スペクトルの可視部のほとんど50%の光子を透過させた。更に400nm以上の波長範囲の光子に対する高透過度と低光子吸収も,ナノ粒子サイズTASが,窓層として適正であることを裏づけた。多結晶化による表面トポグラフィーの変化がX線回折で観測されたが,平均結晶粒径はアニール温度の上昇とともに増した。この150nmサイズTAS膜の伝導性はn型なので,広い直接バンドギャップと相俟ってTASホモ接合太陽電池への見通しを開いた。TASホモ接合太陽電池作製後のアニールは穏やかなもので,構造を破壊することもない。

シソーラス用語： *半導体接合 ,  *太陽電池 ,  *スズ化合物 ,  *アンチモン化合物 ,  *硫化物 ,  半導体薄膜 ,  *ナノ粒子 ,  N型半導体 ,  真空蒸着 ,  多結晶 ,  太陽光 ,  *光透過 ,  光学ギャップ ,  光学定数 ,  光吸収スペクトル ,  単斜晶系
準シソーラス用語： *ホモ接合

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (8件)： ホモ接合 ,  太陽電池 ,  窓 ,  硫化スズ ,  アンチモン ,  薄膜 ,  作製 ,  キャラクタリゼーション