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J-GLOBAL ID：201702260332754412   整理番号：17A1737113

マイクロ波帯でのSi基板の複素誘電率と電気伝導度の関係

著者 (1件)： 福島英沖 (豊田中研)
資料名： 材料とプロセス(CD-ROM)  (Current Advances in Materials and Processes (CD-ROM))
巻： 30  号： 2  ページ： ROMBUNNO.1  発行年： 2017年08月21日 
JST資料番号： X0994B  ISSN： 1882-8922  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： マイクロ波 ,  *ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  *複素誘電率 ,  *電気伝導率 ,  マイクロ波加熱 ,  誘電損失 ,  電気抵抗率 ,  シート抵抗 ,  ドーパント ,  電磁波吸収
準シソーラス用語： *Si基板 ,  シリコンウエハ ,  マイクロ波吸収

分類 (1件)： 電熱  (NB11020Y)

引用文献 (3件)：

• 科技研ホームページ:誘電率・透磁率データベース, https://permittivity.jp/
• 福島英沖、他:第8回日本電磁波エネルギー応用学会シンポジウム講演要旨集、(2015.11) 66-67.
• W. D. Kingery, et. al, Introduction to Ceramics, John Wiley & Sons, (1976) 710.

タイトルに関連する用語 (4件)： マイクロ波帯 ,  Si基板 ,  複素誘電率 ,  電気伝導度