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J-GLOBAL ID:201702260360041737   整理番号:17A1246056

金によるGaAs系ナノワイヤ部分被覆における光円偏光二色性の証拠【Powered by NICT】

Evidence of Optical Circular Dichroism in GaAs-Based Nanowires Partially Covered with Gold
著者 (11件):
資料名:
巻:号: 16  ページ: null  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2486A  ISSN: 2195-1071  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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金属と混成した半導体ナノ構造は,非線形光学,プラズモニクス,レーザ発振,バイオセンサにおける新しい機会を提供することが知られている;それらの間の金とハイブリッド化したGaAsナノワイヤ(NW)を,新しい機能を提供し,キラルセンシングと光操作だけでなく,円偏波源としてできる。本研究では,Si基板上の自己触媒成長により作製し,部分的に金で被覆されたGaAs-AlGaAs-GaAs NWsを調べた,対称性の破れとキラルな潜在的応答を誘導した。三種類の試料は,それぞれ異なる形態で調査された長さと全体直径4.6~5.19μmと138~165nmまでの範囲としてであった。試料は最初の無散乱光音響(PA)法を用いて吸収スペクトルを測定することにより特性化した。,円偏光二色性(CD)は,532~980nmでの異なる入射角での円偏光のためのPA吸収を測定して調べた。効率的なCDは,適切な配置で見られ,その結果は外因性カイラル理論予測と数値シミュレーションと良く一致した。はこれらの試料は光学異性挙動を示し,さらに最適化できることを証明した。さらに,PA法は,それらの「外部」キラリティーを特性化するための非常に高感度で効率的な技術として用いることができる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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著者キーワード (3件):
分類 (1件):
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半導体薄膜 
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