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J-GLOBAL ID：201702260360992826   整理番号：17A0953617

CdGa₂Se₄中のフォノン分散のab initio計算

Ab Initio Calculations of Phonon Dispersion in CdGa₂Se₄

著者 (6件)： DZHAKHANGIRLI Z. A. (Abdullaev Inst. of Physics, National Acad. of Sci. of Azerbaijan, Baku, AZE) ,  DZHAKHANGIRLI Z. A. (Azerbaijan Technical Univ., Baku, AZE) ,  KERIMOVA T. G. (Abdullaev Inst. of Physics, National Acad. of Sci. of Azerbaijan, Baku, AZE) ,  ABDULLAYEV N. A. (Abdullaev Inst. of Physics, National Acad. of Sci. of Azerbaijan, Baku, AZE) ,  MAMEDOVA I. A. (Abdullaev Inst. of Physics, National Acad. of Sci. of Azerbaijan, Baku, AZE) ,  MAMEDOV N. T. (Abdullaev Inst. of Physics, National Acad. of Sci. of Azerbaijan, Baku, AZE)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 5  ページ： 556-558  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数法によりCdGa₂Se₄中フォノン状態密度とBrillouinゾーンでの光学フォノン分散を計算した。結晶格子中の原子の移動をA,BとE対称性のタイプの振動について構成した。計算で求めた光学フォノン周波数は赤外吸収とRamanスペクトルから求めた実験値と整合していた。xy面中で低周波数光学フォノンと音響フォノンの交差を認めた。

シソーラス用語： *カドミウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *セレン化物 ,  *フォノン分散 ,  計算 ,  *密度汎関数法 ,  *状態密度 ,  *フォノン ,  光吸収 ,  Ramanスペクトル ,  交差 ,  化合物半導体 ,  Brillouin帯
準シソーラス用語： ab initio計算 ,  *フォノン状態密度 ,  音響フォノン ,  *光学フォノン ,  赤外吸収

分類 (1件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (2件)： フォノン分散 ,  計算