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J-GLOBAL ID：201702260382532899   整理番号：17A0780973

CdSeナノワイヤの電気的および光学的特性への歪効果

Strain Effect on the Electronic and Optical Properties of CdSe Nanowires

著者 (3件)： HUAN Hao (Shanghai Normal Univ.) ,  CHEN Li (MCPHS Univ.) ,  YE Xiang (Shanghai Normal Univ.)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 12  号： 1  ページ： 12:178 (WEB ONLY)  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理密度関数理論(DFT)シミュレーションを行い,セレン化カドミウム(CdSe)ナノワイヤ(NW)の電気的,光学的特性への歪依存性を研究した。バンド構造,電子とホールの有効質量,誘電特性,およびその他の光学特性(消光係数,光学反射率,および吸収係数)を,圧縮と伸長の両方での一軸歪のもとで計算した。種々の直径のCdSeワイヤ間の結果を比較することにより,サイズ依存性を議論した。シミュレーション結果は,サイズにかかわらず価電子帯で面白いバンドスイッチングが生じた。そのようなバンドスイッチングの理由とその結果も,議論した。さらに,対応する電気的,光学的特性の歪依存性も,同様に試験した。これらの結果は,CdAsNWの電気的,光学的特性への歪を介した機械的調整が可能であることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *セレン化カドミウム ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  第一原理 ,  *密度汎関数法 ,  *計算機シミュレーション ,  *残留歪 ,  バンド構造 ,  *歪 ,  *光学的性質 ,  *有効質量 ,  *誘電性 ,  依存性 ,  スイッチング
準シソーラス用語： サイズ依存性 ,  バンドスイッチング ,  *一軸歪 ,  光学特性 ,  誘電特性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： CdSe ,  ナノワイヤ ,  光学的特性 ,  歪効果