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J-GLOBAL ID:201702260386095640   整理番号:17A0325357

高効率ペロブスカイト太陽電池のためのインドロ[3,2 b]インドール バセド結晶正孔輸送材料【Powered by NICT】

Indolo[3,2-b]indole-based crystalline hole-transporting material for highly efficient perovskite solar cells
著者 (9件):
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巻:号:ページ: 734-741  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7042A  ISSN: 2041-6539  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ペロブスカイト太陽電池のための結晶性正孔輸送材料(HTM)としてのふっ素化インドロ[3,2 b]インドール(IDID)誘導体を設計し,合成した。ふっ素化IDID骨格は強いπ-π相互作用により積層した緊密な分子配列を可能にし,電流HTM標準,p,pスピロOMeTADの球状形状と非晶質形態よりも高い正孔移動度をもたらした。p,pスピロOMeTADのそれと比較してペロブスカイト/HTM膜における光ルミネセンス消光はIDIDFのペロブスカイトの界面でより効果的である。結果として,IDIDFを用いて作製した素子は,p,pスピロOMeTADを用いたものに比べて優れた光起電力特性を示し,19%の最適性能を示した。このように,この注目すべき結果は,高効率ペロブスカイト太陽電池のためのHTMの新しいクラスとしてIDIDコアベース材料を実証した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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太陽電池 

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