文献

J-GLOBAL ID：201702260386538733   整理番号：17A1249642

逆ペロブスカイト太陽電池の高性能のための電荷蓄積の除去に関するBCPバッファ層の効果【Powered by NICT】

Effect of BCP buffer layer on eliminating charge accumulation for high performance of inverted perovskite solar cells

著者 (8件)： Chen Chuanliang (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, 1037 Luoyu Road, Wuhan 430074, China. [e-mail]) ,  Zhang Shasha ,  Wu Shaohang ,  Zhang Wenjun ,  Zhu Hongmei ,  Xiong Zhenzhong ,  Zhang Yanjun ,  Chen Wei
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 57  ページ： 35819-35826  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バソクプロイン(BCP)バッファ層が,高性能を得るための反転から作ったpin型ペロブスカイト太陽電池(PSC)において一般的に使用されているが,その作用機構は完全に解明されていない。,一連の装置が熱蒸着により蒸着したBCP層の制御された厚さで作製した。単一ダイオード模型によるフィッティングJ-Vデータの助けを借りて,デバイス性能に及ぼすBCP層の厚さの影響を同定した。5nmの臨界BCP厚さを持つデバイスで得られた17.9%までの最適電力変換効率(PCE),Ohm接触の形成と界面電荷再結合の減少のためである。がBCP層は非常に薄いまたは厚いすぎる場合には,電荷蓄積は異なった機構によって出現し,デバイス性能劣化,照明下であるバイアス領域でのピーク容量を示す容量-電圧(C V)特性により明確に確認したへと導くであろう。PCBMとAgの間のそのような重要な薄BCP層の挿入は,デバイスの長期安定性の改善,T_80寿命は大気中~6時間から増加した~50時間であった。本研究では,バッファ層の最適化によるPSCの性能の改善への洞察を与え,C-V特性の測定は,電荷蓄積に関連した光起電素子の欠陥を検出するための新しい手がかりを提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 真空蒸着 ,  電圧 ,  Ohm接触 ,  *太陽電池 ,  最適化 ,  界面 ,  *帯電 ,  バイアス ,  銀 ,  *バッファ層
準シソーラス用語： 長期安定性 ,  PCBM ,  性能劣化 ,  電荷再結合 ,  電力変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  高性能 ,  電荷蓄積 ,  BCP ,  バッファ層