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J-GLOBAL ID：201702260445513718   整理番号：17A1295246

FeS2の電子構造及び光学的性質に及ぼすAsドーピング濃度の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of As doping concentration on electronic structure and optical properties of FeS2

著者 (5件)： Ma Wankun (中南大学資源加工与生物工程学院,長沙,410083) ,  Chen Jianhua (广西大学資源与冶金学院,南寧,530004) ,  Zhang Guofan (中南大学資源加工与生物工程学院,長沙,410083) ,  Li Yuqiong (广西大学資源与冶金学院,南寧,530004) ,  Feng Qiming (中南大学資源加工与生物工程学院,長沙,410083)
資料名： Zhongguo Youse Jinshu Xuebao  (Zhongguo Youse Jinshu Xuebao)
巻： 27  号： 2  ページ： 414-422  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0943A  ISSN： 1004-0609  CODEN： ZYJXFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づく第一原理平面波超ソフト擬ポテンシャル法を用いて、異なるAsドープ濃度FeS2の幾何構造、電子構造と光学性質について計算と討論を行った。2×2×2(Fe32S63As)、2×2×1(Fe16S31As)と2×1×1(Fe8S15As)の超格子モデルを採用し、1つのAs原子を用いて1つのS原子を置換した。ドーピング濃度をそれぞれ1.93%,3.82%,7.48%(質量分率)とし,3種のドーピング系の計算を行い,理想系との比較を行った。幾何構造と電子構造の計算結果は以下のことを示した。AsドーピングはFeS2の格子定数と格子体積を増大させ、伝導バンドの部分を下方シフトさせ、バンドギャップの幅を減少させ、そして-10.4~-9.5eVの浅い価帯はAsのp状態によって寄与する不純物準位を生成した。光学特性の計算結果により、ドーピング後のFe(S1-x As x)2の静的誘電率、屈折率と光伝導率は一定の範囲内でいずれもドーピング量の増大につれて明らかに増大し、AsドーピングがFeS2の光吸収と光電変換効率を著しく増強したことを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 平面波 ,  伝導バンド ,  擬ポテンシャル法 ,  *電子構造 ,  屈折率 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  *ドーピング ,  *光学的性質 ,  光伝導 ,  格子定数 ,  第一原理 ,  不純物準位 ,  *ヒ素
準シソーラス用語： 幾何構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： As-doping ,  pyrite ,  optical and electrical property ,  first principle

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子構造 ,  光学的性質 ,  ドーピング