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J-GLOBAL ID：201702260466397609   整理番号：17A1745102

非晶質ドープ窒化ケイ素薄膜におけるN-Si-O発光欠陥状態の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation on luminescent defect state related to N-Si-O bondingin amorphous oxygenated Silicon nitride film

著者 (8件)： Dong Hengping (南京理工大学泰州科技学院,泰州,225300;南京大学電子科学与工程学院,南京,210093;南京大学固体微結構物理国家重点実験室,南京,210093) ,  Chen Kunji (南京大学電子科学与工程学院,南京,210093;南京大学固体微結構物理国家重点実験室,南京,210093) ,  Zong Bo (南京理工大学泰州科技学院,泰州,225300) ,  Jing Elin (南京理工大学泰州科技学院,泰州,225300) ,  Wang Hao (南京理工大学泰州科技学院,泰州,225300) ,  Dou Rufeng (南京理工大学泰州科技学院,泰州,225300) ,  Guo Yan (南京理工大学泰州科技学院,泰州,225300) ,  Xu Jun (南京大学電子科学与工程学院,南京,210093;南京大学固体微結構物理国家重点実験室,南京,210093)
資料名： Nanjing Daxue Xuebao. Zirankexue  (Nanjing Daxue Xuebao. Zirankexue)
巻： 53  号： 3  ページ： 392-398  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2593A  ISSN： 0469-5097  CODEN： NCHPAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 室温におけるプラズマ増強化学蒸着(PECVD)法により、非晶質酸素ドープ窒化ケイ素(a-SiN:O)薄膜を作製した。シラン(SiH4)とアンモニア(NH3)の流量比を変えることにより、薄膜光ルミネセンス(PL)ピークが2.06~2.79eVの可視光エネルギー範囲内の波長変調を実現することができる。光吸収スペクトルにおける光吸収ピークはPLピークと重なり、薄膜の発光は光吸収端以下の0.65eV付近の欠陥状態に由来することが分かった。Fourier変換赤外分光法(FTIR)とX線光電子分光法(XPS)によるSi2pピークのフィッティングにより,膜のPL強度の増強がN-Si-O結合濃度の増加と密接に関連することを示した(R=1:4)。PL強度はN-Si-O結合濃度と共に最大に達した。さらに,a-SiNx:O薄膜における発光欠陥状態は,N-Si-O結合構造と密接に関連していることが判明した。...O-Si薄膜は,N-Si-O結合構造と密接に関係している。さらに,PLピークは,R比の増加とともに赤方偏移を示し,それは,N-Si-O遷移状態に起因する欠陥状態密度の最大位置における準位オフセットと光学バンドギャップの狭いバンドに起因した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  *発光 ,  *ドーピング ,  光吸収スペクトル ,  光学ギャップ ,  プラズマCVD ,  シラン ,  *窒化 ,  赤方偏移 ,  X線光電子スペクトル ,  光吸収 ,  *非晶質 ,  光ルミネセンス ,  可視光 ,  *窒化ケイ素 ,  X線光電子分光法

著者キーワード (4件)： photoluminescence ,  a-SiNx:O film ,  N-Si-O bond ,  defect state

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  ドープ ,  窒化 ,  ケイ素薄膜 ,  欠陥状態 ,  研究