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J-GLOBAL ID：201702260494425669   整理番号：17A1569936

VbeからのシリコンバンドギャップVgoを抽出することを標的とした電圧基準発生器【Powered by NICT】

A voltage reference generator targeted at extracting the silicon bandgap Vgo from Vbe

著者 (2件)： Liu Zhiqiang (Dept. of Electrical and Computer Engineering, Iowa State University, Ames, IA, 50010) ,  Chen Degang (Dept. of Electrical and Computer Engineering, Iowa State University, Ames, IA, 50010)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISCAS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,広い温度範囲にわたってサブppmの温度係数を標的とする高精度電圧基準発生器を提示した。Vbeの温度非線形性を相殺しようとする従来の曲率補正技法とは異なり,提案した方法はVbeの温度特性からVgoの抽出において特異的に標的化した。Vgoは零Kevinで外挿したシリコンのバンドギャップ電圧であり,非常に広い温度範囲で温度に無関係であった。注意深くある不整合とオフセットを正確にトリミングされるするVgoに比例する出力電圧を生成するための戦略につながる研究した解析的制約。提案した方法は,GlobalFoundries130nmプロセスで製作した。シミュレーション結果は,この設計がプロセスコーナ 40°C以上から125°Cまでの温度係数0.7ppm/°Cを達成できることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 曲率 ,  *バンドギャップ ,  温度係数 ,  シミュレーション ,  *電圧 ,  不整合 ,  ターゲティング ,  オフセット ,  非線形性 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 出力電圧 ,  温度特性 ,  高精度 ,  温度範囲 ,  *再生器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電源回路  (NC05060Q) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  バンドギャップ ,  VGO ,  標的 ,  発生器