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J-GLOBAL ID：201702260566613060   整理番号：17A1276678

グラフェンFETガスセンサ上の最小ベースラインドリフトと高速回復のためのACセンシング方式【Powered by NICT】

An AC sensing scheme for minimal baseline drift and fast recovery on graphene FET gas sensor

著者 (7件)： Liu Yumeng (Berkeley Sensor and Actuator Center, Berkeley, USA) ,  Yu Jiachen (Berkeley Sensor and Actuator Center, Berkeley, USA) ,  Cui Yong (Berkeley Sensor and Actuator Center, Berkeley, USA) ,  Hayasaka Takeshi (Berkeley Sensor and Actuator Center, Berkeley, USA) ,  Liu Huiliang (Berkeley Sensor and Actuator Center, Berkeley, USA) ,  Li Xiaoqian (Berkeley Sensor and Actuator Center, Berkeley, USA) ,  Lin Liwei (Berkeley Sensor and Actuator Center, Berkeley, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： TRANSDUCERS  ページ： 230-233  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速回復とグラフェンFETに基づくガスセンサの最小ベースラインドリフトを達成するための新しいACセンシング方式を明らかにした。最新技術と比較して,三つの明確な進歩が達成された(1)高感度ガス検出スキームとしてチャネル抵抗とゲート電圧の間のAC位相遅れ信号を用いた最初の実証グラフェンFET(2),水,メタノールおよびエタノール蒸気を含む,試験した多様なガス通常のDC抵抗測定のそれよりも十倍速くほぼの欠陥リッチ,化学蒸着(CVD)成長させた単層グラフェンFET上の超高速ベースライン回復速度(~10s)を達成する(3)解析シミュレーションと実験データの両方を用いてAC位相遅れ感知原理の検証。そのようなものとして,提案したセンシング方式と結果は,実際の使用と基礎研究における加速されたセンシング速度のためのグラフェンFETに基づくガスセンシングデバイスの新しいフロンティアを開くかもしれない。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  高感度 ,  シミュレーション ,  *ガスセンサ ,  単一層 ,  チャネル ,  *基準線 ,  *高速度 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： 超高速 ,  抵抗測定 ,  位相遅れ ,  ゲート電圧 ,  *グラフェンFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  分析機器  (CC02020S)

物質索引 (2件)： エタノール ,  メタノール

タイトルに関連する用語 (7件)： グラフェンFET ,  ガスセンサ ,  ベースライン ,  ドリフト ,  回復 ,  Ac ,  センシング