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J-GLOBAL ID：201702260592502087   整理番号：17A1046301

MgをドーピングしたZn₄Sb₃の構造形成のその場観察

In Situ Investigations of Structures Evolution of Mg Doped Zn₄Sb₃

著者 (10件)： WANG Yu (Shanghai Inst. Applied Physics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  LI Hong (Ningbo Univ., Ningbo, CHN) ,  YANG Ying-guo (Shanghai Inst. Applied Physics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  JI Geng-wu (Shanghai Inst. Applied Physics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  SHEN Kong-chao (Shanghai Inst. Applied Physics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  SHEN Kong-chao (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  SUN Hao-liang (Shanghai Inst. Applied Physics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  LI Jiong (Shanghai Inst. Applied Physics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  JIANG Zheng (Shanghai Inst. Applied Physics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  SONG Fei (Shanghai Inst. Applied Physics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 727  ページ： 178-184  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 温度差発電素子材料として注目されている熱電材料のβZn₄Sb₃は経済性,非毒性及び熱電特性は優れているが熱安定性が低く実用性に問題がある。対策としてMgをドーピングした,Zn-Sb半導体(Mg_0.04Zn_3.96Sb₃)を600Kでアニールした場合の微細構造及び電子構造についてその場観察を行った。試料はZnショット,Sb粉末及びMgショットを原料としてジェット推進研究所の特許の焼入法に基づいて作製した。構造解析は上海シンクロトロン放射光設備による高分解能傾角入射式XRD(傾角0.2度,照射時間20s以下)及び従来のXRDを使用して行った。Mgのドーピングにより熱安定性は顕著に向上し電子構造は変化しなかったため,熱電材料としての実用化の可能性が得られた。

シソーラス用語： *熱電材料 ,  熱電効果 ,  *金属間化合物 ,  *半導体 ,  *アンチモン合金 ,  亜鉛含有合金 ,  マグネシウム添加合金 ,  *ドーピング ,  *熱安定性 ,  焼なまし ,  *微細構造 ,  *電子構造 ,  *X線回折 ,  *マグネシウム
準シソーラス用語： アニール処理 ,  *シンクロトロン放射光X線回折 ,  *金属間化合物半導体

分類 (3件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  エネルギー変換装置  (LC01020U) ,  X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (4件)： Mg ,  ドーピング ,  構造形成 ,  その場観察