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J-GLOBAL ID：201702260635876495   整理番号：17A1056805

U字型細胞を用いたスケーラブルなCGeSbTeベース相変化メモリ素子【Powered by NICT】

Scalable CGeSbTe-based phase change memory devices employing U-shaped cells

著者 (8件)： Park J.H. (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea) ,  Park J.H. (Process Development Team 2, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd., San#16, Banwol-Dong, Hwasung-City, Kyungki-Do 445-701, Republic of Korea) ,  Kim J.H. (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea) ,  Ko D.-H. (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea) ,  Wu Z. (Process Development Team 2, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd., San#16, Banwol-Dong, Hwasung-City, Kyungki-Do 445-701, Republic of Korea) ,  Ahn D.H. (Process Development Team 2, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd., San#16, Banwol-Dong, Hwasung-City, Kyungki-Do 445-701, Republic of Korea) ,  Park S.O. (Process Development Team 2, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd., San#16, Banwol-Dong, Hwasung-City, Kyungki-Do 445-701, Republic of Korea) ,  Hwang K.H. (Process Development Team 2, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd., San#16, Banwol-Dong, Hwasung-City, Kyungki-Do 445-701, Republic of Korea)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 634  ページ： 141-146  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プログラミング電流はスケール線形からジュール加熱に起因する抵抗変化で作動する相変化メモリ(PCM)は,スケーリングのための次世代メモリとして示唆されている。PCMデバイス,従来のPCMより容易で,より効率的なスケーリングを可能にするリセット電流をさらに低減するU字型セル設計を提案した。熱伝達のシミュレーション研究は,ダッシュヒータとU字型設計は,同じ貯蔵ノードのためのリングヒータとランス細胞における3.36K/μAと比較して4.97K/μAの高い熱効率を持つことを示した。リセット電流は,指数は非等方性スケーリングにおけるK~1.5のランス電池よりも高いK~2.0に比例する良好なスケールできる。より優れたスケーラビリティはU字型細胞の小プログラミング体積,透過型電子顕微鏡解析により明らかになったように起因した。さらに,U字型電池の繰返し耐久性はランス電池と比較して1桁によって増強され,薄いCGeSbTe膜は,リセット電流を減少させた。著者らの結果は,U字型電池は次世代PCMデバイスにおけるスケールリセット電流に非常に有望な設計であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  線形性 ,  電池 ,  ランス ,  抵抗加熱 ,  透過型電子顕微鏡 ,  計算機プログラミング ,  熱効率 ,  耐久性 ,  熱伝達 ,  電流 ,  異方性 ,  *記憶装置
準シソーラス用語： リセット電流 ,  *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 相変化メモリ ,  炭素ゲルマニウムアンチモンテルリド ,  リセット電流 ,  プログラム体積 ,  スケーラビリティ

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： U字型 ,  細胞 ,  相変化 ,  メモリ素子