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J-GLOBAL ID：201702260687970973   整理番号：17A0240762

高VS WRの下での改良したLTE性能のための調整可能な整合回路網を用いた広帯域SOI電力増幅器【Powered by NICT】

Broadband SOI PA with tunable matching network for improved LTE performances under high VSWR

著者 (3件)： Serhan Ayssar (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France) ,  Ferris Pierre (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France) ,  Giry Alexandre (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICECS  ページ： 488-491  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高効率LDMOS電力トランジスタを用いたSTマイクロエレクトロニクスからの130nm SOI CMOS技術を用いたLTE PMR携帯応用のための広帯域電力増幅器(PA)の設計を記述した。PAは二出力モード(3GPPとPMR)を持ち,各パワーモードと周波数帯域のための最適負荷インピーダンスを呈した低損失SOI可同調出力整合回路(TOMN)の使用のおかげで,380~450MHz及び698~862MHz周波数帯をカバーしている。TOMNは,負荷調整目的に使用され,挿入損失2dB以下の4:1までのVS WRを任意のインピーダンス不整合を回復できることを示した。TOMNの設計手順を本論文で詳述した。3GPP/PMRモードでは,提案したPAは,種々の周波数帯において線形出力電力の最大28.5dBm/31dBmを提供するLTE信号と 35dBc以下を隣接チャネル漏洩電力比(ACLR)を保持した。対応する効率(PAE)は異なるモードとバンドの35%以上であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： インピーダンス ,  電力トランジスタ ,  負荷調整 ,  同調 ,  *広帯域 ,  *整合器 ,  周波数帯 ,  *電力増幅器 ,  マイクロエレクトロニクス ,  スリージーピーピー
準シソーラス用語： ACPR ,  出力電力 ,  インピーダンス不整合 ,  3GPP ,  LDMOS ,  *整合回路網 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： Vs ,  LTE ,  整合回路網 ,  広帯域 ,  SOI ,  電力増幅器