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J-GLOBAL ID：201702260727313990   整理番号：17A0382513

一段階化学還元法で作製された酸化モリブデン(MoO₂)から二硫化モリブデン(MoS₂)カルコゲナイド半導体ナノ粒子への相転移における還元と硫化処理のキャラクタリゼーションと研究

Characterization and study of reduction and sulfurization processing in phase transition from molybdenum oxide (MoO₂) to molybdenum disulfide (MoS₂) chalcogenide semiconductor nanoparticles prepared by one-stage chemical reduction method

著者 (4件)： SHOMALIAN K. (Damghan Univ., Damghan, IRN) ,  BAGHERI-MOHAGHEGHI M.-M. (Damghan Univ., Damghan, IRN) ,  BAGHERI-MOHAGHEGHI M.-M. ,  ARDYANIAN M. (Damghan Univ., Damghan, IRN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 1  ページ： 93,1-9  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS₂ナノ粒子をMoO₃粉体の還元剤チオ尿素による一段階化学還元と続くアルゴンガスと硫黄蒸気中でのアニーリングとによって作製した。合成されたナノ粒子のナノ構造と光学特性をX線回折,FTIR分光法,TEM及びFESEM観察,Raman散乱分光法,紫外可視分光法を使って評価した。単相MoS₂ナノ粒子は硫黄蒸気存在下での750°Cアニーリングによって得られることが分かった。光学ギャップは200~750°Cのアニーリング温度に依存して3.47~1.95eVであった。MoS₂バルクの光学ギャップが間接的な1.2eVであるのに対して,ナノ粒子からなるナノ構造化MoS₂層のバンドギャップは直接1.9eVであることが注目された。

シソーラス用語： *還元 ,  *硫化 ,  酸化モリブデン ,  *硫化モリブデン ,  化合物半導体 ,  *ナノ粒子 ,  相転移 ,  焼なまし ,  *ナノ構造 ,  半導体薄膜 ,  還元剤 ,  *光学定数 ,  *光学ギャップ ,  ウレア化合物 ,  有機硫黄化合物
準シソーラス用語： 化学還元 ,  *二硫化モリブデン

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  コロイド化学一般  (CB11010C) ,  光物性一般  (BM08010A)

物質索引 (1件)： チオ尿素

タイトルに関連する用語 (13件)： 段階 ,  化学還元 ,  作製 ,  酸化モリブデン ,  硫化モリブデン ,  MoS2 ,  カルコゲナイド ,  半導体ナノ粒子 ,  相転移 ,  還元 ,  硫化 ,  キャラクタリゼーション ,  研究