Ga Alへの種々の比をもつCe:Gd_3(Al, Ga)_5O_12単結晶の成長と特性評価【Powered by NICT】

Sato H.; Endo T.; Usuki Y.; Matsueda T.; Kamada K.; Yoshino M.; Yoshikawa A.; Yoshikawa A.

文献

J-GLOBAL ID：201702260793232113 整理番号：17A1020017

Ga Alへの種々の比をもつCe:Gd_3(Al, Ga)_5O_12単結晶の成長と特性評価【Powered by NICT】

Growth and characterization of Ce:Gd₃(Al, Ga)₅O₁₂ single crystals with various ratio of Ga to Al

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著者 (8件)：

Sato H.

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(Tsukuba Development Center, Furukawa Co., Ltd., 1-25-13 Kannondai, Tsukuba, Ibaraki 305-0856, Japan)

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Yoshikawa A.

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資料名：

Journal of Crystal Growth (Journal of Crystal Growth)

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巻： 468 ページ： 361-364 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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Al(Ga/Al)へのGaの種々の比を持つ2インチサイズCe:GAGG単結晶をCZ法により成長させ,成長させた結晶の濃度はEPMAを用いて測定した。光出力,減衰時間および時間分解能などのシンチレーション特性を評価し,Ga/Alへの依存性を特性化した。その結果,光出力はGa/Alの増加により減少した。一方,タイミング特性はGa/Alの減少により悪化した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語：

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*単結晶

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B1ガドリニウム化合物

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