文献

J-GLOBAL ID：201702260843616336   整理番号：17A1244768

低コスト高電圧GaN分極超接合電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

Low cost high voltage GaN polarization superjunction field effect transistors

著者 (10件)： Kawai H. (Powdec KK, 1-23-15 Wakagi-cho, Oyama city, Tochigi 323-0028, Japan) ,  Yagi S. (Powdec KK, 1-23-15 Wakagi-cho, Oyama city, Tochigi 323-0028, Japan) ,  Hirata S. (Powdec KK, 1-23-15 Wakagi-cho, Oyama city, Tochigi 323-0028, Japan) ,  Nakamura F. (Powdec KK, 1-23-15 Wakagi-cho, Oyama city, Tochigi 323-0028, Japan) ,  Saito T. (Powdec KK, 1-23-15 Wakagi-cho, Oyama city, Tochigi 323-0028, Japan) ,  Kamiyama Y. (Powdec KK, 1-23-15 Wakagi-cho, Oyama city, Tochigi 323-0028, Japan) ,  Yamamoto M. (Shimane University, Matsue-shi, Shimane 690-8504, Japan) ,  Amano H. (Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8601, Japan) ,  Unni V. (University of Sheffield, Velocity 2, 3 Solly Street, Sheffield S1 4DE, UK) ,  Narayanan E. M. S. (University of Sheffield, Velocity 2, 3 Solly Street, Sheffield S1 4DE, UK)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分極超接合(PSJ)の概念に基づく,新しい高電圧GaN電界効果トランジスタ(FET),およびこれらの高性能デバイスの製造に適した費用対効果の高いアプローチの包括的概観を提示した。応用におけるGaN電力スイッチングトランジスタのより広い採用を妨げる現在の挑戦,POWDEC KKからスケールアップしたPSJ FETの最新の結果についても論じた。も400 800V昇圧コンバータのハードスイッチング特性,サファイア基板上に成長させたPSJFETを用いて構築した,および最新のパワーエレクトロニクスのためのモノリシック集積に基づくGaNパワー半導体技術の今後の方向を提示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力 ,  電力トランジスタ ,  スイッチングトランジスタ ,  *窒化ガリウム ,  スケールアップ ,  *分極 ,  パワーエレクトロニクス ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： モノリシック集積化 ,  サファイア基板 ,  ハードスイッチング ,  ブーストコンバータ ,  費用対効果 ,  *超接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電界効果トランジスタ ,  GaN ,  superjunctions ,  次元ホールガス

分類 (5件)： 磁性理論  (BM06020X) ,  分析機器  (CC02020S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高電圧 ,  GaN ,  分極 ,  超接合 ,  電界効果トランジスタ