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J-GLOBAL ID：201702260848652574   整理番号：17A1355187

LiNbO_3基板上に作製した人工Ni細線における分域構造の制御【Powered by NICT】

Control of domain structure in artificial Ni wires fabricated on a LiNbO₃ substrate

著者 (5件)： Yamaguchi A. (Laboratry of Advanced Science and Technology for Industry, University of Hyogo, Ako-gun, Japan) ,  Ohkochi T. (Japan Synchrotron Radiation Research Institute, Sayo, Japan) ,  Yasui A. (Japan Synchrotron Radiation Research Institute, Sayo, Japan) ,  Kinoshita T. (Japan Synchrotron Radiation Research Institute, Sayo, Japan) ,  Yamada K. (Materials Science and Technology Division, Graduated School of Engineering, Gifu University, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： INTERMAG  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁化反転と磁区に関する研究は,永久磁石と磁気メモリなどの基本的な磁性と工学応用のために注目されている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *分域構造 ,  磁気メモリ ,  磁化反転 ,  磁性 ,  *ニッケル ,  磁区 ,  *細線 ,  永久磁石

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 作製 ,  人工 ,  Ni ,  細線 ,  分域構造