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J-GLOBAL ID：201702260856666400   整理番号：17A0909989

SnZr_0 50Ti_0 50O_3無鉛強誘電材料の構造,電子および誘電特性に及ぼすDFT/PBE0研究【Powered by NICT】

DFT/PBE0 study on structural, electronic and dielectric properties of SnZr_0.50 Ti_0.50 O₃ lead-free ferroelectric material

著者 (2件)： Ribeiro R.A.P. (Department of Chemistry, State University of Ponta Grossa, Av. General Carlos Cavalcanti, 4748, 84030-900, Ponta Grossa, PR, Brazil) ,  de Lazaro S.R. (Department of Chemistry, State University of Ponta Grossa, Av. General Carlos Cavalcanti, 4748, 84030-900, Ponta Grossa, PR, Brazil)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 714  ページ： 553-559  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい無鉛SnZr_0 0.50Ti_0 0.50O_3(SZT)セラミックを設計した密度汎関数理論計算。構造,電子および誘電特性を調査し,PbZr_0 0.50Ti_0 0.50O_3(PZT)と比較した。構造特性をSn-Oの増加した共有結合性に合計する正方SZTの高度の歪みを光学的性質をバンドギャップ減少と電子-正孔対安定化を通した改善を示唆した。誘電テンソルの計算された独立成分は,PZTの優れた誘電挙動を確認したが,SZT材料に対して得られた値は技術的応用を提供するのに十分高いと考えられた。それ故,これらの特性の総和はSZTを光起電力と誘電体デバイスの開発のための有望な無鉛候補である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  バンドギャップ ,  光起電力 ,  構造特性 ,  電子正孔対 ,  *誘電性 ,  共有結合 ,  テンソル ,  セラミック ,  光学的性質
準シソーラス用語： 密度汎関数計算 ,  *強誘電体材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： DFT/PBE0 ,  無鉛 ,  強誘電性 ,  秩序-無秩序

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電材料 ,  電子 ,  誘電特性 ,  DFT ,  研究