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J-GLOBAL ID:201702260936618346   整理番号:17A0364719

調製,SbをドープしたZnOナノ結晶の特性評価とその優れた太陽光駆動光触媒活性【Powered by NICT】

Preparation, characterization of Sb-doped ZnO nanocrystals and their excellent solar light driven photocatalytic activity
著者 (7件):
資料名:
巻: 393  ページ: 486-495  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,アンドープおよびアンチモン(Sb)をドープしたZnOナノ結晶(NC)を,簡単で経済的なゾル-ゲル法により調製した。X線回折(XRD)と透過型電子顕微鏡(TEM)により,得られた相とその高結晶性の純度を明らかにした。Raman解析は六方晶ウルツ鉱型ZnO構造を確認した。拡散反射結果によると,バンドギャップはSbドーピング(ZSb3試料)の3%まで減少することが分かった。X線光電子分光法(XPS)測定の結果は,SbイオンはZnと格子間原子サイトを占めていることを明らかにした。ZnO格子中のアンチモンの置換は価電子帯の上複合体(Sb_Zn 2V_Zn)アクセプタ準位の形成を示唆している。特にZSb3試料では,UV光ルミネセンス(PL)バンドは,この複合体の形成に起因する明らかな赤方偏移を示した。ローダミンB(RhB)を太陽光照射下でのSbドープZnO NCの光触媒活性を評価した。は,酸素空孔が励起電子をトラップと放射再結合を阻害することにより光触媒プロセスにおいて主要な役割を果たすことが分かった。光触媒機構の間に,Sbドーピング,(Sb_Zn 2V_Zn)対応アクセプタ準位の出現によって表わされる,ZnOバンドギャップ,ヒドロキシルラジカルの生成を促進し,photocatalytics反応速度を促進する内の太陽光吸収を増強した。光触媒反応におけるスカベンジャーとしてエタノールを用いた場合にヒドロキシルラジカルのこのような重要な寄与を実験的に確認した。光分解実験はZSb3試料は,すべての調製した試料中で最高の光触媒活性を示し,良好なサイクル安定性と再利用性を示したことを明らかにした。光分解効率の初期pHの影響をも調べ,議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  光化学一般 

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