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J-GLOBAL ID：201702260946725381   整理番号：17A0934570

次世代パワーデバイス材料の石英工具を使用した超精密研磨技術に関する研究

著者 (1件)： 山口桂司 (京都工繊大 機械工学系)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 31  ページ： 333-339  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・パワー半導体の重要な課題である低コスト化のために,SiCの鏡面化加工工程において石英を工具として用いた場合の研磨に与える影響を調査。
・石英より硬度の高いSiCが鏡面化されることから,化学反応による表面改質と判断。
・石英中に含まれる不純物のうちOH含有量の研磨特性に与える影響を調査したが,表面粗さなどに関してOH含有量による差は明確にできなかった。
・今後の研磨メカニズムの解明によって最適な石英を選定すれば研磨特性を飛躍的に向上できる可能性を示唆。

シソーラス用語： *電力トランジスタ ,  電力変換器 ,  *炭化ケイ素 ,  鏡面仕上 ,  *石英 ,  研磨 ,  *精密研削 ,  *超精密加工 ,  表面改質 ,  ヒドロキシ基
準シソーラス用語： OH基 ,  *超精密研磨

分類 (1件)： 研削  (QC03000R)

引用文献 (3件)：

• Toshiyuki KOTSUJI, Takahiro ISHIBASHI, Minoru OTA, Kai EGASHIRA, Keishi YAMAGUCHI, Masayoshi YAMADA and Masahiro ITOI: Study on UV-assisted grinding of SiC, Proceedings of the 16th International Conference on Precision Engineering, C205-8238 (2016).
• Keishi YAMAGUCHI, Mutsumi TOUGE, Akihisa KUBOTA, Takayuki NAKANO and Junji WATANABE: Study on High Efficiency Mirror Finished Technique of Single-crystal SiC substrate -The Planarization Process by Constant-pressure Grinding and an Ultraviolet Irradiation Polishing-, Journal of the Japan Society for Precision Engineering, 77, 1 (2011) 116.
• Keishi YAMAGUCHI, Mutsumi TOUGE, Akihisa KUBOTA, Tadatoshi MUROTA, Junji WATANABE, Youki TOYOFUKU and Yuuki SAWAMI: Effect of particles on UV-polishing characteristics of single crystal SiC substrate, Journal of the Japan Society for Abrasive Technology, 55, 4 (2011) 220.

タイトルに関連する用語 (7件)： 次世代 ,  パワー ,  デバイス材料 ,  石英 ,  工具 ,  精密研磨 ,  研究