文献

J-GLOBAL ID：201702261001817747   整理番号：17A1836340

イオン-ゲルゲートを持つグラフェン/シリコンヘテロ構造に基づいた柔軟な垂直電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

Flexible vertical field-effect transistor based on graphene/silicon heterostructure with ion-gel gate

著者 (2件)： Chen Zefeng (Department of Electronic Engineering and Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, NT, Hong Kong SAR, China) ,  Xu Jianbin (Department of Electronic Engineering and Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, NT, Hong Kong SAR, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NANO  ページ： 548-549  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンはその明確な電子的,機械的および光学的特性のために魅力的な材料である。最近,グラフェンベース電界効果トランジスタ(GFET)は急速に開発され,応用の可能性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  光学的性質 ,  高速度 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： イオン ,  ゲル ,  ゲート ,  グラフェン ,  シリコン ,  ヘテロ構造 ,  垂直 ,  電界効果トランジスタ