文献

J-GLOBAL ID：201702261017125536   整理番号：17A1244727

Mgの移動とGaNにおける他の間質性金属ドーパント【Powered by NICT】

Migration of Mg and other interstitial metal dopants in GaN

著者 (2件)： Miceli Giacomo (Chaire de Simulation a l’Echelle Atomique (CSEA), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland) ,  Pasquarello Alfredo (Chaire de Simulation a l’Echelle Atomique (CSEA), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 11  号： 7  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウルツ鉱型GaNにおける格子間Mgの移動のための最小エネルギー経路を,密度汎関数計算によって調べた。研究はまた,ドーパント種のサイズと電荷への依存性を調べるためにLi,Na,Beドーパントから成る。検討した全てのケースでは,不純物が局在化電荷の傾向のないイオンを拡散する。Li,Mg,ある程度Na,GaN中のほぼ等方的に拡散し,1.1年,2.1年,および2.5eVの平均拡散障壁を持つ,それぞれした。代わりはc軸に垂直及び平行拡散経路のための0.76と1.88eVのエネルギー障壁をもつ顕著な異方性を示した。拡散障壁は一般的にイオン電荷とイオン半径と共に増加したが,それらの相互作用は自明ではない。Mgに対して計算した移動障壁は最近のβ放出チャネリング実験で推定した値と一致した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネリング ,  イオン ,  *ドーパント ,  異方性 ,  不純物 ,  *マグネシウム ,  ドーピング ,  拡散障壁 ,  イオン半径 ,  電荷 ,  *窒化ガリウム ,  相互作用
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  拡散経路 ,  局在化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 拡散 ,  MgドープGaN ,  nitrides ,  自己補償

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (4件)： Mg ,  GaN ,  間質 ,  ドーパント