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J-GLOBAL ID：201702261044240806   整理番号：17A1708031

CdTe/CdS界面に及ぼす蒸着プロセスのモデル化【Powered by NICT】

Modelling the deposition process on the CdTe/CdS interface

著者 (2件)： Yu Miao (School of Mathematics and Statistics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi 710071, China) ,  Kenny Steven D. (Department of Materials, Loughborough University, Loughborough, Leicestershire LE11 3TU, United Kingdom)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 412  ページ： 66-70  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdTeは低コスト,高効率薄膜太陽電池のための優れた材料であるとワット/性能(ShockleyとQueisser,1961;グリーン,2011)の記録を保持している。粒界および転位のような欠陥はCdTe太陽電池(瀬戸,1975)の効率を低下させ,このようにして,これらの欠陥は,成長過程の間に形成された,特に異なる材料の界面上にあるかについて研究を行うことが重要である。本研究では,計算機シミュレーションを用いてCdS表面上にスパッタ蒸着したCdTe薄膜の成長を予測した。実施した,異なる条件下で堆積したクラスタの挙動を研究した単一堆積試験。1から40eVまでのエネルギー範囲でウルツ鉱型(111)Cd及びS末端CdS表面へのCd Te(x , y=0 , 1)クラスタを堆積した。可能な堆積位置をサンプリングし,十分な統計値を収集するために,これらの事例の個々に対して行った1200以上のシミュレーション。結果は,Cd原子はTe原子よりも表面からスパッタされたより容易にと付着確率はCd終端表面よりもS終端表面上の高いことを示した。堆積エネルギーを増加させる典型的に表面原子を置換堆積原子の数の増加をもたらし,表面層に位置する原子の数を減少させる傾向があることを示す,観察された格子間原子の数を増加させる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,  *硫化カドミウム ,  *界面 ,  *テルル ,  太陽電池 ,  *モデリング ,  格子間原子 ,  *カドミウム ,  クラスタ ,  結晶粒界 ,  表層 ,  計算機シミュレーション ,  薄膜 ,  統計量
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： モデリング ,  CdTe ,  CdS ,  エネルギー影響

分類 (1件)： スパッタリング  (BK16110U)

タイトルに関連する用語 (5件)： CdTe ,  CdS ,  界面 ,  蒸着プロセス ,  モデル化