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J-GLOBAL ID：201702261056671239   整理番号：17A1465200

定電流キャリア注入法により評価した炭窒化けい素(SiCN)をベースにした電荷捕獲メモリの正孔捕獲特性【Powered by NICT】

Hole trapping characteristics of silicon carbonitride (SiCN)-based charge trapping memories evaluated by the constant-current carrier injection method

著者 (4件)： Al Ahmed Sheikh Rashel (Graduate School of Science and Technology, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan) ,  Kato Kaihei (Graduate School of Engineering, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan) ,  Kobayashi Kiyoteru (Graduate School of Science and Technology, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan) ,  Kobayashi Kiyoteru (Graduate School of Engineering, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 70  ページ： 265-271  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ブロッキング酸化物-シリコン炭窒化物(SiCN)-トンネル酸化物とブロッキング酸化物-シリコン窒化トンネル酸化物積層膜をメモリキャパシタの正孔捕獲特性を定電流正孔注入法を用いて調べた。SiCNおよび窒化けい素電荷トラッピング膜における空トラップ中心による捕獲された正孔の電荷重心x t C tlを評価した。捕獲された正孔のx t C tlが最初にSiCNと窒化けい素膜の中央近くに位置し,単位面積当たりの注入された正孔の数の増加に伴ってブロッキング酸化物膜に向かって移動した。SiCN膜のx t C tlはブロッキング酸化物膜に近かった窒化けい素膜のそれと比較して,ことが分かった。トラップされたホールのx t C t1の位置はSiCNと窒化けい素膜における正孔輸送に基づいて説明される。さらに,SiCNキャパシタにおけるフラットバンド電圧シフトはほとんど窒化けい素キャパシタのそれと一致した。この結果は窒化けい素膜よりもx t C tlの小さい値とSiCN膜の低い静的誘電率の結果として解釈される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 捕獲中心 ,  ブロッキング ,  酸化膜 ,  多層膜 ,  誘電率 ,  *正孔 ,  酸化物 ,  *電流 ,  *電荷 ,  *キャリア注入 ,  コンデンサ ,  *窒化ケイ素 ,  *窒化
準シソーラス用語： フラットバンド電圧 ,  *電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SiCN ,  不揮発性半導体メモリ ,  正孔捕獲特性 ,  電荷トラップ ,  電荷セントロイド

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： キャリア注入 ,  評価 ,  炭窒化けい素 ,  電荷捕獲 ,  正孔捕獲