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J-GLOBAL ID:201702261067056151   整理番号:17A1721717

結晶シリコンとその影響光誘起分解実験に及ぼす表面不動態化の分解【Powered by NICT】

Degradation of Surface Passivation on Crystalline Silicon and Its Impact on Light-Induced Degradation Experiments
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 1627-1634  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2305A  ISSN: 2156-3381  CODEN: IJPEG8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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表面不動態化品質の低下は,光誘起劣化(LID)処理中のFZ,Cz,mc-Si寿命試料で観察された。はこの分解は単一SiN_SiNx:H層を持つ試料だけでなく起こることを,SiO_x/SiN_xからなる層スタックを用いた場合にも示される:HまたはAlO_x:H/SiN_x表面飽和電流密度J_0_sの時間分解計算はバルク中とLID処理時の試料の表面で分離した変化の信頼できる方法であることを示した。Czあるいはmc-Siのバルクの変化を目指したLID実験の結果と解釈に及ぼす不動態化品質における観察された変化の影響を検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 
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