文献

J-GLOBAL ID：201702261067681430   整理番号：17A0607792

i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波放射の減衰過程

著者 (3件)： 住岡隆裕 (大阪市大 大学院) ,  竹内日出雄 (大阪市大 大学院) ,  中山正昭 (大阪市大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 72  号： 1  ページ： ROMBUNNO.18pB14-9  発行年： 2017年03月21日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *テラヘルツ波 ,  *電磁波放射 ,  *フォノン ,  *プラズモン ,  減衰時間 ,  減衰定数 ,  レーザ励起 ,  パルスレーザ照射 ,  スペクトル ,  Fourier変換 ,  エピタクシー ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： フォノン-プラズモン相互作用 ,  振幅減衰 ,  減衰速度 ,  Fourier変換スペクトル

分類 (3件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  固体プラズマ  (BM02160W) ,  結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (9件)： GaAs ,  エピタキシャル ,  コヒーレント ,  LOフォノン ,  プラズモン結合 ,  テラヘルツ電磁波 ,  放射 ,  減衰 ,  過程